Hersteller Produktnummer:
DMN2029USD-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2029USD-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 5.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
10847 Stück Neu Original Auf Lager
12887629
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMN2029USD-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.8A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.6nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1171pF @ 10V
Leistung - Max
1.2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
DMN2029
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMN2029USD-13DITR
DMN2029USD-13DICT
DMN2029USD-13DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMTH6016LSDQ-13
MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
DMC2041UFDB-13
MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
DMC2041UFDB-7
MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
