DMN2025UFDF-7
Hersteller Produktnummer:

DMN2025UFDF-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN2025UFDF-7-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 6.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Inventar:

3000 Stück Neu Original Auf Lager
12891571
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

DMN2025UFDF-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
486 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
DMN2025

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN2025UFDF-7-DG
31-DMN2025UFDF-7TR
31-DMN2025UFDF-7CT
31-DMN2025UFDF-7DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH14006NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J503NU,LF

MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8A01-H(TE12L,Q

MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP