Hersteller Produktnummer:
DMN2013UFX-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2013UFX-7-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 10A (Ta) 2.14W Surface Mount W-DFN5020-6
Inventar:
12891987
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DMN2013UFX-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
57.4nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2607pF @ 10V
Leistung - Max
2.14W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-VFDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
W-DFN5020-6
Basis-Produktnummer
DMN2013
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN2013UFX-7DITR
DMN2013UFX-7DIDKR
DMN2013UFX-7DICT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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