Hersteller Produktnummer:
DMN2011UFDF-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2011UFDF-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventar:
9286 Stück Neu Original Auf Lager
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DMN2011UFDF-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2248 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
DMN2011
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMN2011UFDF-13DKR
31-DMN2011UFDF-13CT
31-DMN2011UFDF-13TR
DMN2011UFDF-13-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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