DMN2009LSS-13
Hersteller Produktnummer:

DMN2009LSS-13

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN2009LSS-13-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventar:

1816 Stück Neu Original Auf Lager
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DMN2009LSS-13 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
58.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2555 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
DMN2009

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMN2009LSS-13DKR
31-DMN2009LSS-13TR
31-DMN2009LSS-13CT
DMN2009LSS-13-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
SI4408DY-T1-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
5837
TEILNUMMER
SI4408DY-T1-E3-DG
Einheitspreis
1.05
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DMN2009USS-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
1557
TEILNUMMER
DMN2009USS-13-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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