Hersteller Produktnummer:
DMN2005UFG-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN2005UFG-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 18.1A (Tc) 1.05W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
Inventar:
5947 Stück Neu Original Auf Lager
12888130
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DMN2005UFG-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6495 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.05W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerDI3333-8
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
DMN2005
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN2005UFG-13DITR
DMN2005UFG-13DICT
DMN2005UFG-13DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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