Hersteller Produktnummer:
DMN1054UCB4-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN1054UCB4-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 8 V 2.7A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount X1-WLB0808-4
Inventar:
54225 Stück Neu Original Auf Lager
12884515
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DMN1054UCB4-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
8 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
700mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
908 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
740mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
X1-WLB0808-4
Paket / Koffer
4-XFBGA, WLBGA
Basis-Produktnummer
DMN1054
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMN1054UCB4-7DICT
DMN1054UCB4-7DITR
DMN1054UCB4-7DIDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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