Hersteller Produktnummer:

DMN1032UCP4-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMN1032UCP4-7-DG

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 12 V 5A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount X1-DSN1010-4 (Type B)

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DMN1032UCP4-7 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Bulk

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

12 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

5A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

1.8V, 4.5V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 1A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

1.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3.2 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

325 pF @ 6 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

790mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

X1-DSN1010-4 (Type B)

Paket / Koffer

4-XFBGA, DSBGA

Basis-Produktnummer

DMN1032

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DMN1032UCP4-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

31-DMN1032UCP4-7

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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