Hersteller Produktnummer:
DMN1029UFDB-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN1029UFDB-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Inventar:
12891772
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DMN1029UFDB-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.6nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
914pF @ 6V
Leistung - Max
1.4W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (Type B)
Basis-Produktnummer
DMN1029
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DMN1029UFDB-13DI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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