Hersteller Produktnummer:
DMN1019USNQ-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN1019USNQ-7-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Inventar:
13002775
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DMN1019USNQ-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.2V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
800mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2426 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
680mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SC-59-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
DMN1019
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMN1019USNQ-7
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DMN1019USNQ-13
HERSTELLER
Diodes Incorporated
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
DMN1019USNQ-13-DG
Einheitspreis
0.10
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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