Hersteller Produktnummer:
DMN1004UFDF-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMN1004UFDF-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 15A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6
Inventar:
1880 Stück Neu Original Auf Lager
12949756
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DMN1004UFDF-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2385 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
DMN1004
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMN1004UFDF-7DKR
DMN1004UFDF-7-DG
31-DMN1004UFDF-7TR
31-DMN1004UFDF-7CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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