Hersteller Produktnummer:
DMJ70H600SH3
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMJ70H600SH3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
Inventar:
12882196
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DMJ70H600SH3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
643 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
113W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
DMJ70
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTU8N70X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
64
TEILNUMMER
IXTU8N70X2-DG
Einheitspreis
1.71
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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