Hersteller Produktnummer:
DMJ70H1D3SK3-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMJ70H1D3SK3-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 4.7A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
12979230
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DMJ70H1D3SK3-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
264 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
57W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMJ70
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMJ70H1D3SK3-13TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STD7NM80
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
4929
TEILNUMMER
STD7NM80-DG
Einheitspreis
1.69
ERSATZART
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