DMJ70H1D3SJ3
Hersteller Produktnummer:

DMJ70H1D3SJ3

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DMJ70H1D3SJ3-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251

Inventar:

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DMJ70H1D3SJ3 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
351 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
41W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 155°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
DMJ70

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DMJ70H1D3SJ3
HTML-Datenblatt
DMJ70H1D3SJ3-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
75

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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