Hersteller Produktnummer:
DMG8N65SCT
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG8N65SCT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventar:
12883489
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Menge
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DMG8N65SCT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1217 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB (Type TH)
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
DMG8N65
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFP7N80PM
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXFP7N80PM-DG
Einheitspreis
4.60
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IXFP7N80P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
299
TEILNUMMER
IXFP7N80P-DG
Einheitspreis
2.31
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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