Hersteller Produktnummer:
DMG8601UFG-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG8601UFG-7-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
Inventar:
5950 Stück Neu Original Auf Lager
12883882
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DMG8601UFG-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 6.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.05V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
143pF @ 10V
Leistung - Max
920mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerUDFN
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN3030-8
Basis-Produktnummer
DMG8601
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMG8601UFG-7DICT
DMG8601UFG-7DIDKR
DMG8601UFG7
DMG8601UFG-7DITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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