Hersteller Produktnummer:
DMG6898LSDQ-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG6898LSDQ-13-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 9.5A 1.28W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12464 Stück Neu Original Auf Lager
12949870
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DMG6898LSDQ-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1149pF @ 10V
Leistung - Max
1.28W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
DMG6898
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
DMG6898LSDQ-13DIDKR
DMG6898LSDQ-13DICT
-DMG6898LSDQ-13DICT
-DMG6898LSDQ-13DITR
-DMG6898LSDQ-13DIDKR
DMG6898LSDQ-13DITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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