Hersteller Produktnummer:
DMG6601LVT-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG6601LVT-7-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
Inventar:
61614 Stück Neu Original Auf Lager
12903704
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DMG6601LVT-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.8A, 2.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.3nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
422pF @ 15V
Leistung - Max
850mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
TSOT-26
Basis-Produktnummer
DMG6601
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DMG6601LVT-7DICT
DMG6601LVT-7DITR
DMG6601LVT-7DIDKR
DMG6601LVT7
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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