Hersteller Produktnummer:
DMG4N65CT
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG4N65CT-DG
Beschreibung:
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12883638
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Menge
Mindestens 1
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DMG4N65CT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
900 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.19W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
DMG4
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
DMG4N65CTDI
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STP5NK80Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
240
TEILNUMMER
STP5NK80Z-DG
Einheitspreis
0.85
ERSATZART
Direct
Teilenummer
IXTP4N80P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTP4N80P-DG
Einheitspreis
1.10
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRF820PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1744
TEILNUMMER
IRF820PBF-DG
Einheitspreis
0.47
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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