Hersteller Produktnummer:
DMG1012T-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMG1012T-13-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Inventar:
18767 Stück Neu Original Auf Lager
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DMG1012T-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
630mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.74 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
60.67 pF @ 16 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
280mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-523
Paket / Koffer
SOT-523
Basis-Produktnummer
DMG1012
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
10,000
Andere Namen
31-DMG1012T-13TR
31-DMG1012T-13DKR
31-DMG1012T-13CT
DMG1012T-13-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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