Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Germany
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Germany
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
DDTD123YU-7-F
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DDTD123YU-7-F-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12890338
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
8
n
8
i
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DDTD123YU-7-F Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Basis-Produktnummer
DDTD123
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
DDTD123YU-7-F
HTML-Datenblatt
DDTD123YU-7-F-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
PDTC123YU,115
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
2880
TEILNUMMER
PDTC123YU,115-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
DTC123YUAT106
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
3064
TEILNUMMER
DTC123YUAT106-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PDTD123YUX
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
PDTD123YUX-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PDTB123YUF
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
9820
TEILNUMMER
PDTB123YUF-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
PDTD123YUF
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
PDTD123YUF-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
RN1312(TE85L,F)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
RN1426TE85LF
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
DDTD122LU-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
DDTC144TE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523