DDTC114TE-7
Hersteller Produktnummer:

DDTC114TE-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DDTC114TE-7-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523

Inventar:

3578 Stück Neu Original Auf Lager
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DDTC114TE-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 100µA, 1mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang
250 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-523
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-523
Basis-Produktnummer
DDTC114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
981-DDTC114TE-7
1034-DDTC114TE-7TR
DDTC114TEDITR
31-DDTC114TE-7TR
DDTC114TEDITR-DG
1034-DDTC114TE-7CT
DDTC114TEDICT
1034-DDTC114TE-7DKR
DDTC114TEDICT-DG
DDTC114TE7

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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