Hersteller Produktnummer:
DDA123JH-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DDA123JH-7-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
Inventar:
12888765
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EINREICHEN
DDA123JH-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
2.2kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
47kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
DDA123
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DDA123JH-7CT
31-DDA123JH-7DKR
31-DDA123JH-7TR
DDA123JH-7-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
EMB10T2R
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
16000
TEILNUMMER
EMB10T2R-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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