DDA114TU-7-F

Hersteller Produktnummer:

DDA114TU-7-F

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DDA114TU-7-F-DG

Beschreibung:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363

Detaillierte Beschreibung:

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363

Inventar:

4294 Stück Neu Original Auf Lager

12884392

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DDA114TU-7-F Technische Spezifikationen

Kategorie

Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert

Hersteller

Diodes Incorporated

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Reihe

-

Produktstatus

Active

Transistor-Typ

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emittersockel (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - Max

200mW

Art der Montage

Surface Mount

Paket / Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Gerätepaket für Lieferanten

SOT-363

Basis-Produktnummer

DDA114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

DDA114TU-7-F-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

3,000

Andere Namen

DDA114TU-FDICT

DDA114TU-FDIDKR

DDA114TU-FDITR

DDA114TU7F

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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