DDA114EH-7
Hersteller Produktnummer:

DDA114EH-7

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

DDA114EH-7-DG

Beschreibung:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563

Inventar:

2950 Stück Neu Original Auf Lager
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DDA114EH-7 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays, vorgefiltert
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
10kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max
150mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Basis-Produktnummer
DDA114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DDA114EH-7
HTML-Datenblatt
DDA114EH-7-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
-DDA114EH-7DICT
DDA114EH-7-DG
-DDA114EH-7DITR
DDA114EH-7DITR
DDA114EH-7DIDKR
DDA114EH-7DICT
-DDA114EH-7DIDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
NSBA114EDXV6T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
4000
TEILNUMMER
NSBA114EDXV6T1G-DG
Einheitspreis
0.05
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
EMB11T2R
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
30713
TEILNUMMER
EMB11T2R-DG
Einheitspreis
0.08
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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