BSS138Q-7-F
Hersteller Produktnummer:

BSS138Q-7-F

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

BSS138Q-7-F-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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BSS138Q-7-F Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
50 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 220mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
BSS138

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSS138Q-7-FDIDKR
BSS138Q-7-FDI-DG
BSS138Q-7-FDICT
BSS138Q-7-FDI
BSS138Q-7-FDITR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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