BCP5510TA
Hersteller Produktnummer:

BCP5510TA

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

BCP5510TA-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 60V 1A SOT223
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 150MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3

Inventar:

1000 Stück Neu Original Auf Lager
12921569
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BCP5510TA Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
63 @ 150mA, 2V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-223-3
Basis-Produktnummer
BCP5510

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BCP5510TADKR-DG
31-BCP5510TATR
BCP5510TADKR
-BCP5510TADICT
BCP5510TACT
31-BCP5510TADKR
BCP5510TADITR
-BCP5510TADITR
BCP5510TADIDKR
BCP5510TATR
-BCP5510TADIDKR
BCP5510TATR-DG
BCP5510TADICT
31-BCP5510TACT
BCP5510TACT-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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