Hersteller Produktnummer:
BC856BWQ-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
BC856BWQ-7-DG
Beschreibung:
General Purpose Transistor SOT32
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 65 V 100 mA 200MHz 200 mW Surface Mount SOT-323
Inventar:
13301745
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BC856BWQ-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Verpackung
Bulk
Status des Teils
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
65 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
Leistung - Max
200 mW
Frequenz - Übergang
200MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-323
Basis-Produktnummer
BC856
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-BC856BWQ-7
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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Interface