2N7002-7-F
Hersteller Produktnummer:

2N7002-7-F

Product Overview

Hersteller:

Diodes Incorporated

Teilenummer:

2N7002-7-F-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

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2N7002-7-F Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
115mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
370mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
2N7002

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2N70027F
2N7002-FDITR
2N7002-FDICT
2N7002-FDIDKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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