Hersteller Produktnummer:
2DB1182Q-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
2DB1182Q-13-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 32V 2A TO252-3
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 2 A 110MHz 10 W Surface Mount TO-252-3
Inventar:
16917 Stück Neu Original Auf Lager
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2DB1182Q-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
32 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 3V
Leistung - Max
10 W
Frequenz - Übergang
110MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252-3
Basis-Produktnummer
2DB1182
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
2DB1182Q-13DIDKR
2DB1182Q13
2DB1182Q-13DICT
2DB1182Q-13DITR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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