Hersteller Produktnummer:
CP775-CWDM3011P-CT
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
CP775-CWDM3011P-CT-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 11A (Ta) Surface Mount Die
Inventar:
12978095
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
CP775-CWDM3011P-CT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3100 pF @ 8 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Paket / Koffer
Die
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
100
Andere Namen
1514-CP775-CWDM3011P-CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
OBSOLETE
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
SIHB15N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 13A D2PAK
SQJQ142E-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
SI1308EDL-T1-BE3
MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SC70-3