CP647-MJ11015-WR
Hersteller Produktnummer:

CP647-MJ11015-WR

Product Overview

Hersteller:

Central Semiconductor Corp

Teilenummer:

CP647-MJ11015-WR-DG

Beschreibung:

TRANS PNP DARL 120V 30A DIE
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120 V 30 A Surface Mount Die

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CP647-MJ11015-WR Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
30 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
4V @ 300mA, 30A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 30A, 5V
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
Die
Gerätepaket für Lieferanten
Die
Basis-Produktnummer
CP647

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
CP647-MJ11015

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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