Hersteller Produktnummer:
CDM2206-800LR
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
CDM2206-800LR-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
12950048
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CDM2206-800LR Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
474.7 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
1514-CDM2206-800LR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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