Hersteller Produktnummer:
BSS52
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
BSS52-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 80V 1A TO39
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39
Inventar:
12997807
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Menge
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BSS52 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.6V @ 4mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 500mA, 10V
Leistung - Max
800 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gerätepaket für Lieferanten
TO-39
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
1514-BSS52
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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