Hersteller Produktnummer:
BDV65B
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
BDV65B-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 100V 12A TO218
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 12 A 60MHz 125 W Through Hole TO-218
Inventar:
12789616
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Menge
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BDV65B Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
12 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Leistung - Max
125 W
Frequenz - Übergang
60MHz
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-218-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-218
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
BDV65BCS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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