Hersteller Produktnummer:
2N6318
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
2N6318-DG
Beschreibung:
TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor 80 V 7 A 4MHz 90 W Through Hole TO-66
Inventar:
13001299
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Menge
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2N6318 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
7 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2V @ 1.75A, 7A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 500mA, 4V
Leistung - Max
90 W
Frequenz - Übergang
4MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 200°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-213AA, TO-66-2
Gerätepaket für Lieferanten
TO-66
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
1514-2N6318
Umwelt- und Exportklassifizierung
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
2N5427
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
2N5427-DG
Einheitspreis
25.18
ERSATZART
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