Hersteller Produktnummer:
AS1M080120P
Product Overview
Hersteller:
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Teilenummer:
AS1M080120P-DG
Beschreibung:
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 36A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
92 Stück Neu Original Auf Lager
13001249
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AS1M080120P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Anbon Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1475 pF @ 1000 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
192W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
4530-AS1M080120P
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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