AOWF160A60
Hersteller Produktnummer:

AOWF160A60

Product Overview

Hersteller:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Teilenummer:

AOWF160A60-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 24A TO262F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 27.7W (Tc) Through Hole TO-262F

Inventar:

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AOWF160A60 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
aMOS5™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2340 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
27.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262F
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
AOWF160

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
AOWF160A60
HTML-Datenblatt
AOWF160A60-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
785-AOWF160A60
5202-AOWF160A60

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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