Hersteller Produktnummer:
AOW15S65
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOW15S65-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 15A TO262
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-262
Inventar:
12849811
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AOW15S65 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
-
Reihe
aMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
841 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
AOW15
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
AOW15S65-DG
785-1525-5
5202-AOW15S65
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STI21N65M5
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STI21N65M5-DG
Einheitspreis
1.92
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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