Hersteller Produktnummer:
AOT66518L
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOT66518L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 30A/120A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 30A (Ta), 120A (Tc) 10W (Ta), 375W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
941 Stück Neu Original Auf Lager
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AOT66518L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
AlphaSGT™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
30A (Ta), 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.7V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6460 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
10W (Ta), 375W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
AOT66518
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
785-AOT66518LDKR
785-AOT66518LCT
785-AOT66518LDKRINACTIVE
785-AOT66518LTR
785-AOT66518LDKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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