Hersteller Produktnummer:
AOT3N60
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOT3N60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 2.5A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12845756
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AOT3N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
370 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
AOT3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
785-1186-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTP4N80P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IXTP4N80P-DG
Einheitspreis
1.10
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DIGI-Zertifizierung
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