Hersteller Produktnummer:
AOT1N60
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOT1N60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 1.3A (Tc) 41.7W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
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AOT1N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
160 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
41.7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
AOT1
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
5202-AOT1N60
785-1184-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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