Hersteller Produktnummer:
AOT190A60L
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOT190A60L-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12843554
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
AOT190A60L Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
aMOS5™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1935 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
AOT190
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
5202-AOT190A60L
785-1808
AOT190A60L-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IRFD9010
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP
MCH6341-TL-E
MOSFET P-CH 30V 5A 6MCPH
AOI4102
MOSFET N-CH 30V 8A/19A TO251A
