Hersteller Produktnummer:
AOI7S65
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOI7S65-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventar:
12846109
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AOI7S65 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
-
Reihe
aMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
434 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
89W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251A
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
AOI7
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,500
Andere Namen
5202-AOI7S65
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK8Q65W,S1Q
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
5
TEILNUMMER
TK8Q65W,S1Q-DG
Einheitspreis
0.65
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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