Hersteller Produktnummer:
AOI4N60
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOI4N60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventar:
12846199
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AOI4N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
640 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251A
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
AOI4
Datenblatt & Dokumente
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,500
Andere Namen
5202-AOI4N60
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
DIGI-Zertifizierung
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