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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
AOI4C60
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOI4C60-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12850311
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AOI4C60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
910 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251A
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
AOI4
Datenblatt & Dokumente
Produkt-Zeichnungen
TO251A Pkg Drawing
Datenblätter
AOI4C60
HTML-Datenblatt
AOI4C60-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,500
Andere Namen
785-1648-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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