Hersteller Produktnummer:
AOI1R4A70
Product Overview
Hersteller:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Teilenummer:
AOI1R4A70-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 700V 3.8A TO251A
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 3.8A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251A
Inventar:
12845398
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
AOI1R4A70 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Verpackung
Tube
Reihe
aMOS™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
354 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251A
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basis-Produktnummer
AOI1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
70
Andere Namen
785-1819
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSS123L6433HTMA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
AO4490
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
AOI518
MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A